國(guó)產(chǎn)芯片實(shí)現(xiàn)“趕超”的背后，離不開(kāi)超純水設(shè)備

　　眾所周知，中國(guó)是全世界芯片進(jìn)口量非常大的國(guó)家，但其中有超過(guò)70%的需求都是中低端芯片。雖然美國(guó)對(duì)華為進(jìn)行了芯片斷供，限制了高端芯片的使用，但如果中國(guó)能夠?qū)崿F(xiàn)中低端芯片的自由，也能很大程度降低對(duì)美芯片的依賴，被“卡脖”風(fēng)險(xiǎn)也會(huì)下降。

　　有消息傳出，14nm芯片封鎖將會(huì)被打破!據(jù)業(yè)內(nèi)人士透露，100%純正的14nm國(guó)產(chǎn)芯片將在2023年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。我國(guó)將在明年實(shí)現(xiàn)14nm純國(guó)產(chǎn)芯片的消息一經(jīng)傳出，瞬間在西方科技界引起了廣泛的關(guān)注與討論，美國(guó)科學(xué)院院士更是發(fā)出無(wú)奈的感慨：中國(guó)學(xué)者都不睡覺(jué)嗎?居然僅用了兩三年的時(shí)間，就走完了西方科學(xué)家十余年才走完的路，且在某些細(xì)分領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)了“趕超”。

　　美國(guó)院士發(fā)出這樣的感慨也不難理解，畢竟芯片制造是一項(xiàng)龐大的項(xiàng)目工程，工序十分繁瑣，且需要大量設(shè)備、化學(xué)材料的支撐，我國(guó)實(shí)現(xiàn)了14nm芯片的量產(chǎn)，標(biāo)志著我國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的整體水平已經(jīng)達(dá)到了14nm，與西方雖然存在著技術(shù)差距，但這種差距可以通過(guò)“堆疊”的方式進(jìn)一步縮小。

　　縮小差距的設(shè)備除了芯片生產(chǎn)的常用設(shè)備外，還有一個(gè)十分重要，它是芯片用水的生產(chǎn)者-超純水設(shè)備。超純水設(shè)備可生產(chǎn)出芯片生產(chǎn)過(guò)程中的清洗用水超純水，保證了芯片的良品率。采用雙反滲透、EDI、拋光混合床相結(jié)合的制水工藝，具有水利用率高、運(yùn)行可靠、經(jīng)濟(jì)合理等特點(diǎn)。

　　萊特萊德經(jīng)過(guò)多年實(shí)踐，同時(shí)結(jié)合膜分離技術(shù)，采用反滲透加離子交換系統(tǒng)(或EDI)相結(jié)合的工藝來(lái)制取超純水，該工藝與傳統(tǒng)工藝相比具有運(yùn)行成本低的優(yōu)點(diǎn)(離子交換器的再生周期大大延長(zhǎng))，運(yùn)行可靠。萊特萊德超純水設(shè)備出水水質(zhì)符合美國(guó)ASTM D5127電子及半導(dǎo)體業(yè)用純水水質(zhì)TypeE-1.2，高于我國(guó)國(guó)家電子級(jí)超純水標(biāo)準(zhǔn)GBT11446.1-1997EW-Ⅰ標(biāo)準(zhǔn)。