EDI超純水在半導(dǎo)體行業(yè)厚積薄發(fā)，生根發(fā)芽

　　EDI是電去離子凈水技術(shù)的簡(jiǎn)稱，是一種將電滲析和離子交換相結(jié)合的脫鹽新工藝。利用混床離子交換樹(shù)脂吸附給水中的陰陽(yáng)離子,同時(shí)這些被吸附的離又在直流電壓的作用下分別透過(guò)陰陽(yáng)離子交換膜而被連續(xù)去除的過(guò)程，EDI超純水設(shè)備可對(duì)水進(jìn)行提純。

　　EDI超純水設(shè)備操作簡(jiǎn)便、無(wú)污染，是清潔生產(chǎn)技術(shù)，在微電子工業(yè)、電工業(yè)、醫(yī)藥工業(yè)、化工工業(yè)和實(shí)驗(yàn)室等領(lǐng)域得到日趨廣泛的應(yīng)用。

　　如今，EDI超純水在電子芯片領(lǐng)域應(yīng)用廣泛。芯片生產(chǎn)的難度很大，其中十分重要的一個(gè)環(huán)節(jié)就是清洗，如果不能保證芯片生產(chǎn)各個(gè)環(huán)節(jié)的清洗用水質(zhì)量，就很難保證芯片生產(chǎn)的良品率，因此芯片生產(chǎn)用水十分重要。芯片生產(chǎn)一般用超純水，而不是普通的自來(lái)水。

　　半導(dǎo)體工廠生產(chǎn)和清洗半導(dǎo)體、集成電路芯片及封裝、液晶顯示器、高精度電路板、光電器件等各種電子器件的時(shí)候,都需要用到電阻率為18兆歐以上的超純水,這樣的超純水幾乎不導(dǎo)電,不會(huì)影響電子產(chǎn)品的性能,同時(shí)水中幾乎不含金屬離子,不會(huì)對(duì)復(fù)雜芯片表面造成劃痕或者不可逆的影響。當(dāng)集成電路的集成度越高,線寬越窄,對(duì)水質(zhì)的要求也就越高。

　　超純水的制備工藝大體分為預(yù)處理、初級(jí)制備和拋光處理三個(gè)步驟。整個(gè)制造過(guò)程中采用的工藝技術(shù)復(fù)雜而精細(xì),不容偏差,制備難度涉及至少18個(gè)關(guān)鍵工藝環(huán)節(jié)。

　　伴隨芯片市場(chǎng)的崛起,也為超純工藝技術(shù)企業(yè)帶來(lái)廣闊的機(jī)遇與挑戰(zhàn),高頻科技不斷探索超純水的絕對(duì)純度。專業(yè)處理工藝環(huán)節(jié)不斷提升超純水系統(tǒng)的應(yīng)用效率,不斷滿足半導(dǎo)體行業(yè)日趨提升的用水需求,并以此塑造了強(qiáng)大的行業(yè)技術(shù)壁壘,在國(guó)內(nèi)超純工藝領(lǐng)域中厚積薄發(fā),生根發(fā)芽。